雷竞技RAYBETapp官网氮化镓GaN企业汇总【附详细名单】-icspec核心技术：可实现无损伤粗糙度值小于Rms0.2nm的平坦表面、通过平面方向控制与原子阶控制，达到了适合外延生长的表面质量。特点具有均一高品位的结晶性与表面质量。
应用：广泛用于白光LED、紫外光LED、紫光LED等各种发光二极管的基板。用于功率元器件的基板、用于高频元器件等电子元器件的基板。现已经实现了高质量氮化镓（GaN）基板的批量生产。
核心技术：拥有在硅（Si）、蓝宝石（Al2O3）雷竞技RAYBET最新官网、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）衬底上生长晶体的技术。公司氮化镓外延片因高击穿电压、低漏电流和出色的 2DEG 特性而闻名，从而被优质的半导体厂商所采用。
技术及应用：n型GaN衬底适用于大功率LED，用于显示器，播放器和投光器的激光二极管，目前能提供2英寸n型GaN衬底，4英寸的 n型GaN衬底正在开发中。
SI SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT外延晶片，适用于功率开关二极管、功率晶体管、电动汽车/太阳能光伏/数据保护器/电器，感测器等；
核心技术：IQE通过使用称为外延的工艺在基板（纯晶体材料的圆盘）表面上生长复杂的原子结构来制造晶片或“外延晶片”形式的化合物半导体材料。
技术及应用：硅基板的最大直径为200mm，SiC基板的最大直径为150mm。氮化镓技术在射频和功率市场上获得了广泛的关，Soitec首先瞄准基站功率放大器市场，随后还计划通过GaN产品打入智能手机和功率汽车市场。
核心竞争：比硅高十倍的击穿场和双电子迁移率，比硅低10倍的输出和栅电荷，使高频成为可能操作，预期寿命超过15年且故障率低于1 FIT。
应用：英飞凌氮化镓 CoolGaN™ 系列显著提高了各类系统的价值。此类增强模式 HEMT 具备市场上无出其右的耐用性能，针对消费和工业应用，如服务器、数据通信、电信通信、适配器、充电器、无线充电及音频产品。
应用：2015年，安森美与Transphorm建立合作关系，共同开发及共同推广基于GaN的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、通信、LED照明及网络领域的各种高压应用
成立时间：1930年成立，总部位于德克萨斯州达拉斯，全球有 14 个制造工厂，每年生产数百亿芯片。
技术及应用：通过经优化的栅极驱动布局提高了效率，并通过集成过流保护功能和 3,000 万小时的器件可靠性测试实现了高可靠性。
产品：意法半导体计划在2020年前在法国图尔市的前道晶圆厂建立一条完全满足要求的生产线，包括GaN-on-Si异质外延生产线月，MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能，支持5G无线）美国EPC
产品：EPC是首个推出增强型氮化镓（eGaNTM）FET的公司，可实现对传统功率MOSFET的有效替代；EPC也是增强型GaN功率晶体管的供应商。
产品：致力于设计、生产GaN（氮化镓）功率转换器和模块，Transphorm建立了业界第一个，也是唯一通过JEDEC认证的600V GaN产品线 V GaN FET现已投入生产
技术及应用：关键技术是Island技术，台积电代工。工业和运输市场，适用于交付无人机、仓储机器人、医疗设备、工厂自动化、电动自行车和滑板车等应用。电动汽车，储能和工业电机；
核心技术：该公司的半导体专家团队创造了独特的G-Stack™技术，利用Soitec的材料IP和CEA-Leti广泛的设备专业知识以及业界领先的，可扩展且具有成本效益的200毫米平台生产硅基GaN材料。
应用：电源管理，增加服务器电源数据存储密度，功率高达100瓦的大功率AC / DC充电器的小型化将导致家用电子产品的新标准，通过GaN实现的更高频率的转换器可以显着降低成本，因此可以广泛使用太阳能。GaN器件的低欧姆和开关损耗以及高频运行性能，可降低DC-DC和车载充电器的系统成本，重量和尺寸。
技术优势：常关型GaN FET产品提供高功率性能和高频开关，其设计和结构可确保在设计中使用标准的低成本栅极驱动器。
技术优势：由Navitas Semiconductor开发的GaNFast电源IC是最快，最高效和最集成的电源GaN技术，可实现尺寸最小，重量最轻的最快，最强大的GaN充电器。
技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。
技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。
技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。
目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线万片的氮化镓芯片生产和封测产线）Episil（汉磊先进投资控股公司）
成立时间：成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。